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国产DRAM内存芯片和三星的技术差距是几年?
作者:admin 发布时间:2024-02-23 09:13:18 点击量:
国产DRAM内存芯片和三星的技术差距大约是5年。
具体来说,三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级(1b或者说12nm)内存芯片,而国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算是第二代10nm(1y或者说16/17nm)。
一般而言,DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。按照正常节奏,国产内存芯片有机会进一步缩短与三星的技术差距。然而,目前一个比较棘手的问题是,三星和SK海力士已经引入了EUV(极紫外光刻)设备用于生产更先进的DRAM芯片,而国产企业暂时还无法获取这一设备。
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