在AI狂潮中，CoWoS等先进封装技术获得了市场的广泛关注，但基于3D小芯片技术的智能手机AP预计要在2025年之后才能起飞。

随着摩尔定律接近物理极限，以及愿意承担3nm以下先进工艺高成本的大客户数量有限，晶圆级SiP和逻辑芯片3D堆叠的概念正在成为下一个重要趋势。

消息人士称，与在单个节点上制造整个SoC相比，随着晶圆堆叠技术的成熟，基于Chiplet技术构建芯片更容易，产量更高，成本控制也更好。同时，除了由单一制造商制造和封装先进芯片外，这种分工还可以应用于SoIC，代工厂采用先进制造技术制造芯片，FCBGA后端封装可以由OSAT（外包半导体封装和测试）完成。

据消息人士透露，PC和笔记本电脑中使用的基于SoIC（单线集成电路小轮廓封装）技术的CPU后端封装可以外包给OSAT，因为后端制造需要与基板相关的FC（倒装芯片）封装，但使用SoIC技术的智能手机AP则并非如此。

在2020-2022年左右，联发科和高通曾向台积电询问是否使用不带DRAM的InFO技术，台积电针对其需求推出了Bottom Only InFO_B。尽管如此，该技术仍处于开发阶段，尚未商业化。

熟悉移动AP的业内人士表示，无论是台积电InFO还是Fan-out PoP封装，安靠、日月光、长电科技都可以做，已经基本成熟，跳跃的空间有限。此外，与Fan-out封装相比，FC PoP封装成熟且具有成本效益。

对于OSAT来说，Fan-out封装的生产经验和成本竞争力不如晶圆代工厂，这也是各大IC设计公司尚未引入该技术生产芯片的原因之一。

由于当前智能手机低迷、库存高企、成本上升等负面因素，引入Fan-out封装并不务实，更不用说3D芯片了，更没有理由在智能手机中引入3D Chiplet AP。

尽管如此，从中长期来看，智能手机AP采用先进封装是必然趋势。预计到2026-2027年，台积电SoIC产能将增长20倍，首先应用于PC和笔记本CPU，然后采用InFO封装的3D芯片引入智能手机AP。苹果和台积电有望引领这一趋势。