- 手机:181-4585-5552
- 电话:0755-82965240
- Q Q:277187808
- 邮箱:alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址:深圳市龙华区民治街道民治社区金华大厦1504
AO6409A AOS MOSFET
发布时间:2023-04-17 10:02:09 点击量:
型号: AO6409A
AO6409A是AOS(Alpha and Omega Semiconductor)公司推出的一款N沟道增强型MOSFET,主要用于DC/DC转换和电源管理应用。它采用先进的0.35μm工艺,具有低RDS(on)、低门极电荷和快速交换特性,能够显著提高转换效率和减小解决方案体积。
AO6409A的主要特性和参数:
•0.35μm N沟道MOSFET,RDS(on)为3.9mΩ。
•门极电荷仅为33nC,实现了超快的开关速度。
•体积小,封装为3平方毫米SOT23-3和2平方毫米DFN2302,非常适合空间受限的设计。
• breakdown电压高达30V,可以在较高的输入电压下正常工作。
•操作温度范围很广,高达150°C,非常适合汽车等高温使用环境。
•采用先进的渐变掺杂技术,具有良好的热性能和可靠性。
•低电阻,适用于需要高效率的 converter 中那些对寄生发射敏感的应用。
•支撑快速工作频率,可以高达5MHz,可以简化 bucks 和boosts 的解决方案。
•Pb-free 封装是符合 RoHS 标准的。
AO6409A适用于DC/DC Buck、Boost、Flyback、Forward 和Buck-Boost 转换器。它在服务器、电源适配器、FPGA和ASIC电源等领域有着广泛的应用。
AO6409A是一个高性价比的低RDS(on) N沟道MOSFET,采用紧凑的封装,具有出色的热性能和可靠性,可以显著提高转换效率和简化电路设计。
推荐产品 MORE+
推荐新闻 MORE+
- 中国准备应对美国升级对芯片制造的限制2024-11-29
- 中国国家半导体基金如何支持芯片制造能力提升?2024-11-26
- 国产芯片在智能汽车中的需求量预计将达到多少颗/辆?2024-11-25
- 中国计划如何提高电动汽车中芯片的本地采购比例?2024-11-22
- 先进封装技术如何满足人工智能芯片的高带宽需求?2024-11-21
- 意法半导体的微控制器如何提高设备安全性?2024-11-20