分立器件和功率模块

　　我们的产品阵容提供全系列高、中、低压功率分立器件以及先进的功率模块方案，包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模块、二极管、SiC 二极管和智能功率模块 。SUPERFET是安森美半导体全新的高压超结  MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进的技术经过量身定制，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高的效率。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。

　　on是安森美半导体全新的高压超结，MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进的技术经过量身定制，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高的效率。SUPERFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。

　　特性 优势

　　超低栅极电荷（典型值 Qg= 252 nC）

　　更低的开关损耗

　　低时间相关输出电容（典型值.Coss（tr.）= 3174 pF）

　　更低的开关损耗

　　优化电容

　　较低的峰值 Vd 和较低的 Vgs 振荡

　　出色的体二极管性能（低 Q 值）rr，坚固的体二极管）

　　在有限责任公司和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性

　　650 V @ TJ= 150 °C

　　类型。RDS（on）= 15.2 mΩ

　　100%雪崩测试

　　这些器件无铅、无卤素/无 BFR，并且符合 RoHS 标准

　　内部栅极电阻：3.5 Ω

合通泰作为深圳on一级代理商，承诺原装正品，假一赔十。

因ic芯片的型号和封装种类繁多，产品没有一 一上传，

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